Estudiaremos su comportamiento utilizando el programa Multisim y determinaremos:
a) Descripción del circuito, explicado detalladamente cada etapa.
Nos encontramos con un circuito amplificador con una salida cuasi-complementaria. Obtiene este nombre porque en su salida se utiliza una configuración Darlington para poder fabricar un transistor PNP de potencia (debido a que los fabricantes de transistores no realizan estos mismos, se debe emplear esta configuración).Básicamente, el circuito contiene una señal Vi inyectada a un AO "LM741", configurado de manera "no inversor", para de esta manera tener un nivel de tensión mayor en la entrada. Tanto el transistor T1 como el transistor T2 se encuentran para proteger a T5 y T6, respectivamente, de eventuales cortocircuitos que se pudieran producir en la salida del circuito. T3 y T5 provocan una configuración Darlington que "simularía" el transistor NPN, pero con una capacidad de ganancia mayor, y en el caso de T4 y T6 realizarían lo mismo para formar un transistor PNP de potencia. R18 y C5 formaría lo que se llama una red Zobel.
Nos encontramos con un circuito amplificador con una salida cuasi-complementaria. Obtiene este nombre porque en su salida se utiliza una configuración Darlington para poder fabricar un transistor PNP de potencia (debido a que los fabricantes de transistores no realizan estos mismos, se debe emplear esta configuración).Básicamente, el circuito contiene una señal Vi inyectada a un AO "LM741", configurado de manera "no inversor", para de esta manera tener un nivel de tensión mayor en la entrada. Tanto el transistor T1 como el transistor T2 se encuentran para proteger a T5 y T6, respectivamente, de eventuales cortocircuitos que se pudieran producir en la salida del circuito. T3 y T5 provocan una configuración Darlington que "simularía" el transistor NPN, pero con una capacidad de ganancia mayor, y en el caso de T4 y T6 realizarían lo mismo para formar un transistor PNP de potencia. R18 y C5 formaría lo que se llama una red Zobel.
b) Medición del rendimiento de potencia de la etapa.
ŋ = 0,53 %
ŋ = 0,005
ŋ = 0,53 %
c) Cálculo de disipación térmica de los transistores y diseño de los disipadores.
Tenemos una Vcc de 38 v y una RL de 4 ohms.
Tenemos una Vcc de 38 v y una RL de 4 ohms.
PDmáx = 73,15 mW
PDmáx = 575 mW
De esta manera, nos damos cuenta de que no es necesario el uso de disipadores para los transistores.
d) Medición de la polarización y análisis grafico del punto de funcionamiento de los transistores.
Q5:
Icq = 3,162 mA
Vceq = 37,85 v
Q6:
Icq = 2,48 mA
Vceq = 38,15 v
Podemos observar la Icq y Vceq de cada transistor.
Para Q5 y Q6:
Icq = 3,162 mA
Vceq = 37,85 v
Q6:
Icq = 2,48 mA
Vceq = 38,15 v
e) Análisis de la respuesta en frecuencia del sistema.
Tenemos un ancho de banda de 7,57 kHz aprox.
Tenemos un ancho de banda de 7,57 kHz aprox.
f) Análisis de la distorsión armónica.
Tabla de valores:
Tenemos un THD de 39,61 %
Gráfico:
Se lo graficó colocando un máximo de 20 armónicas.
Tabla de valores:
Tenemos un THD de 39,61 %
Gráfico:
Se lo graficó colocando un máximo de 20 armónicas.
g) Corriente máxima de cortocircuito.
Realizamos un cortocircuito en la salida, y verificamos la corriente Ie del transistor BD243B (esta sería la corriente de corto circuito). También cortocircuitamos la Vi. El valor de la corriente máxima de cortocircuito es de 3.163 mA.
Realizamos un cortocircuito en la salida, y verificamos la corriente Ie del transistor BD243B (esta sería la corriente de corto circuito). También cortocircuitamos la Vi. El valor de la corriente máxima de cortocircuito es de 3.163 mA.
Colocamos un pila de 200 mV en la entrada, y verificamos que la corriente de cortocircuito es la misma.
En esta tabla podemos visualizar todas las características de este circuito.
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